【成果简介】近日，中国山东大学夏玉国老师、中国陈代荣教授（共同通讯作者）等人开发了一种缺陷型的三元金属硫化物（CdIn2S4）光电阳极，通过引入表面硫空位来显着提高了其PEC性能，在模拟太阳光，1.23Vvs.RHE偏压下的光电流密度为5.73mAcm-2，在0.477Vvs.RHE的光电转换效率为2.49%。

电科董事动物（h）111取向的SrTiO3的SEM图像。图四、长开111织构和非织构NBT-SBT多层陶瓷的电场诱导应变，击穿强度和储能性能的综合比较（a）两种陶瓷在10 Hz测量的单极P-E曲线。

因此，放物发展减小厚度是增强电介质的击穿强度和能量密度的可行方法。对于用于储能的多层陶瓷电容器（MLCCs），联推联网施加的电场相当高，在~20-60MVm-1的范围内，其中感应极化大于0.6Cm-2。【图文导读】图一、健康MLCC单层应变和弹性能分布的有限元模拟（a）MLCC和MLCC中的单个陶瓷层的示意图。

然而，有序尽管厚度在纳米到亚微米尺度的介电薄膜表现出超高的击穿强度和能量密度，但是由于薄膜的体积小，使得它们能量容量很低。同时，中国111织构化的NBT-SBT多层陶瓷的可恢复能量密度高达21.5Jcm-3，优于最新的介电陶瓷

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近日，有序王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如图一所示。在锂硫电池的研究中，中国利用原位TEM来观察材料的形貌和物相转变具有重要的实际意义。